노트북 메모리용량 2배 개선

삼성전자가 세계 반도체업계에서 처음으로 40나노급 공정을 이용한 4Gb(기가비트) DDR3 D램 양산에 들어갔다. 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램 양산을 시작한 지 불과 7개월 만이다.

삼성전자는 지난해 1월 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산을 시작했다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 4Gb DDR3 D램으로 ▲서버용 32GB(기가바이트)·16GB 모듈 ▲워크스테이션 등 고성능 PC·데스크톱 PC용 8GB 모듈 ▲노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 제품보다 용량이 두 배로 늘어난 대용량 메모리 모듈 제품을 공급하게 된다.

이에 따라 노트북 등에서 8GB 모듈을 이용하면 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해지면서 그래픽이나 멀티미디어 작업을 하는 전문가들에게 유용할 것으로 보인다. 또 지난해 노트북 등에 많이 사용된 2GB DDR2 D램보다 메모리 용량과 속도가 두 배 이상 개선될 전망이다. 삼성전자 관계자는 “40나노급 4Gb DDR3 D램을 장착한 제품은 기존 40나노급 2Gb DDR3 D램을 사용할 때보다 전력 소비량이 35% 정도 줄어든다.”고 설명했다.

이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr