“반도체 기술 중국에 또 유출” 삼성전자 전 부장 등 구속영장

“반도체 기술 중국에 또 유출” 삼성전자 전 부장 등 구속영장

류지영 기자
류지영 기자
입력 2023-12-13 20:29
수정 2023-12-14 00:52
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삼성전자가 지난해 세계 최초로 상용화한 12나노 D램. (기사와 직접 관련 없습니다.) 서울신문 DB
삼성전자가 지난해 세계 최초로 상용화한 12나노 D램. (기사와 직접 관련 없습니다.) 서울신문 DB
검찰이 국내 반도체 기술을 중국 업체에 넘긴 혐의로 삼성전자 전직 부장 등 2명에 구속영장을 청구했다.

13일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자를 퇴사한 뒤 2016년 중국 신생 반도체업체 ‘창신메모리’로 이직해 16나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 핵심기술을 넘긴 혐의로 김모 전 부장에 구속영장을 청구했다.

검찰은 삼성전자 관계사 전 직원 방모씨에 대해서도 구속영장을 청구했다.

검찰은 기술 유출 단순 피해액만 수조원에 달하고 창신메모리가 이 기술로 나노급 D램을 양산할 수 있게 돼 한국 기업과의 기술격차가 줄어든 것까지 감안하면 실제 피해는 수십조원에 이를 것으로 보고 있다.

검찰은 두 사람 외에도 하청업체 출신 등 실무 인력 수십명이 기술 유출에 가담한 것으로 보고 수사를 확대하고 있다.

앞서 국가정보원은 이들의 기술유출 정황을 포착해 지난 5월 검찰에 수사를 의뢰했다. 그러나 핵심 인물들이 중국에 머물고 있어 수사에 속도를 내지 못하다가 김 전 부장과 방씨가 지난 10월 귀국하면서 수사에 속도가 붙었다.



이들에 대한 구속 여부는 법원의 심사를 거쳐 15일쯤 결정된다.
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