집적도 크게 높여 원가 경쟁력 향상…수명 2배 늘리고 전력도 20% 절감

삼성전자는 낸드플래시 시장을 선도할 수 있는 2세대 3차원 수직구조 낸드인 ‘32단 3차원(D) V낸드(V-NAND) 메모리’ 양산에 돌입했다고 29일 밝혔다. 지난해 8월 1세대(24단) 3D V낸드 메모리 양산에 돌입한 지 9개월 만의 쾌거로 적층 수를 30% 이상 높였다. 3D V낸드 양산에 성공한 회사는 삼성전자가 유일하다.

3D V낸드는 종전 수평구조 2차원 셀 제조방식을 수직구조 3차원 방식으로 전환한 것이다. 단층 주택지역을 아파트 단지로 개발해 가구 수를 늘린 것과 같은 원리로 볼 수 있다. 업계 관계자는 “메모리 집적도를 그만큼 향상시킬 수 있기 때문에 메모리칩이 하드디스크를 대체하는 날이 얼마 남지 않았다는 의미”라고 설명했다. 특히 이번에 양산되기 시작한 3D V낸드는 신규 설비 투자 없이 기존 1세대 설비를 활용해 양산할 수 있는 데다, 적층 수를 높이는 것만으로 집적도를 끌어올릴 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시켰다. 수명도 2배로 늘리고 전력소비량은 20% 절감할 수 있다고 회사 측은 설명했다.

또 이번 3D V낸드는 처음으로 PC용 SSD(대용량 메모리칩)로 출시됐다. 지난해 개발된 3D V낸드는 주로 기업용 서버에만 활용됐다. 시장조사기관 가트너는 세계 메모리반도체 시장이 올해 755억 달러에서 2017년 797억 달러로 연평균(CAGR) 4% 성장하는 반면 낸드플래시는 317억 달러에서 446억 달러로 연평균 12% 성장할 것으로 예상하고 있다. 이 때문에 일본의 도시바도 최근 반도체 분야에 3년간 7000억엔(약 7조 323억원)의 대규모 설비 투자 계획을 발표했다. 3차원 V낸드 등을 개발·양산해 삼성전자에 대한 추격을 가속화하기 위해서다. 지난해 낸드플래시 메모리 시장점유율(IHS 조사 결과)은 삼성전자가 34.7%로 1위를 차지하고 있으며 도시바가 32.2%로 뒤를 바짝 쫓고 있다.

김양진 기자 ky0295@seoul.co.kr