전력 효율·성능 개선 등 역할
생산성·원가 경쟁력 확보 가능

SK하이닉스가 메모리 업계에서 처음으로 양산용 차세대 노광 장비인 ‘High(하이) NA EUV’를 이천 M16 팹(반도체 생산공장)에 도입했다고 3일 밝혔다. 노광 장비는 반도체 제조 공정에서 설계도인 회로 패턴을 웨이퍼 위에 새겨 넣는 장비다.

하이 NA EUV는 네덜란드 ASML이 개발한 ‘트윈스캔 EXE:5200B’ 모델로 현존 장비 중 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 할 수 있다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

패턴 구현 과정에서 반복 노광을 줄여 시간과 비용을 절감할 수 있다는 장점도 있다. 반도체 업체는 회로를 더 정밀하게 새길수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘고 전력 효율과 성능이 개선돼 생산성과 경쟁력을 동시에 확보할 수 있다.

SK하이닉스는 2021년 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 4세대 D램 공정에 EUV를 처음 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 확대해 왔다. 이번 하이 NA EUV 장비 도입을 통해 기존 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 전략이다. SK하이닉스는 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”고 밝혔다.

이날 열린 반입 기념행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO)과 이병기 제조기술담당 부사장 등이 참석했다. 차선용 CTO는 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 했다.

한편 삼성전자는 지난 3월 하이 NA EUV 장비를 들여와 안정화 작업을 진행 중이며, 메모리와 파운드리 제품 개발에 활용하는 것으로 알려졌다.