삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량과 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 본격 양산하기 시작했다. TSV(Through Silicon Via·실리콘관통전극) 기술은 D램 칩을 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다. 앞서 삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 양산에 성공하면서 3차원 D램 시장을 열었다. 삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM 제품도 양산에 들어가 ‘TSV 풀라인업’을 완성할 계획이다.

　김소라 기자 sora@seoul.co.kr