시안 2라인 증설… 2년 뒤 가동, 중국 스마트폰 메모리 수요 대응

삼성전자는 중국 시안(西安)에 있는 ‘삼성 중국 반도체’(SCS) 법인의 낸드플래시 메모리 공장 증설에 향후 3년간 70억 달러(약 7조 8000억원)를 투자하는 방안을 추진 중이라고 28일 공시했다. 지난 2분기 세계시장에서 38.3%를 차지하고 있는 낸드플래시 점유율을 D램 수준(45.1%)으로 끌어올려 경쟁자를 큰 폭으로 따돌리려는 전략으로 해석된다.

삼성전자는 이번 투자로 시안 2라인을 짓게 된다. 이미 100억 달러(약 11조 2000억원)를 들여 2014년 시안 1라인을 준공한 바 있다. 2라인은 올해 하반기에 착공해 2019년 말 가동을 시작할 것으로 예상되며, 낸드플래시 메모리만 생산할 것으로 알려졌다. 현재 시안 1라인은 전면 가동 중이며 웨이퍼 기준으로 월 12만장 정도를 생산하고 있다.

삼성전자 관계자는 “중국 내에 스마트폰 생산이 급증하면서 중장기적으로 낸드플래시 메모리 수요가 증가하고 있다”며 “이 수요에 대응하기 위한 것”이라고 설명했다. 중국은 세계 메모리 반도체의 60%를 구매하는 최대 시장이다. 이날 삼성전자 경영위원회는 전체 투자액 중 자본금 23억 달러(약 2조 6000억원)에 대한 출자를 승인했다.

이경주 기자 kdlrudwn@seoul.co.kr