세계 1위 메모리 제조업체인 삼성전자의 경기 평택캠퍼스 파운드리(위탁생산) 라인 신규 가동이 가시화되고 있다.

삼성전자는 올해 하반기 본격 가동할 예정이던 평택 파운드리 전용라인 가동 시기를 상반기로 앞당길 방침이다. 앞서 삼성은 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV(극자외선) 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 EUV 전용 화성 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 꾸준히 확대해 왔다. 또 같은 해 평택캠퍼스 평택 2라인을 가동하며 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 양산했다.

이런 발 빠른 대응은 코로나19로 인해 전 세계 산업계의 투자 심리가 위축된 상황에서도 주력 사업의 경쟁력 강화를 늦출 수 없다는 판단 때문에 이뤄졌다. 삼성전자의 지난해 시설투자비는 2019년 대비 43% 증가한 38조 5000억원이었다. 지난해 3분기 누적 연구개발(R&D) 투자 집행비는 역대 최대인 15조 9000억원이었다.

앞서 삼성전자는 2019년 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 자리에서 “2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다”는 목표를 밝힌 바 있다. 당시 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 투자하겠다고 밝힌 규모는 133조원이었다.

삼성전자는 “위기를 기회로 바꾸기 위한 투자를 지속하겠다”면서 “평택캠퍼스에 적극적으로 투자해 반도체 초격차를 달성하고 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획”이라고 강조했다.

안석 기자 sartori@seoul.co.kr