건대 이상욱·서울대 박영우교수팀

국내 연구진이 탄소나노튜브를 이용해 현재의 플래시 메모리보다 데이터 저장 및 삭제 속도가 1000배 이상 빠른 저전력·초고속 비휘발성 메모리 소자를 최초로 개발했다.

교육과학기술부는 1일 건국대 물리학부 이상욱(왼쪽) 교수와 서울대 물리학부 박영우(오른쪽) 교수팀이 기존의 플래시 메모리를 대체할 수 있는 새로운 비휘발성 메모리 소자를 개발했다고 밝혔다. 연구팀은 탄소나노튜브의 트랜지스터 소재와 마이크로 전기역학 소자를 결합해 새 메모리 소자를 만들어 냈다.

이를 통해 현재의 플래시 메모리에 비해 쓰고 지우는 속도는 1000배 이상 빠르면서도 전력소모는 획기적으로 낮출 수 있었다는 것. 박 교수는 “탄소 기반 나노구조가 실리콘 반도체를 실제로 넘어설 수 있는 가능성을 보여주었다는 점에서 중요한 결과”라고 말했다.

이 교수는 “그래핀 또는 탄소나노튜브를 이용한 나노 전기역학 시스템을 결합한 새로운 형태의 나노 소자를 개발해 기초 물성연구뿐 아니라 반도체 분야에 응용할 수 있는 가능성을 함께 탐구하는 후속 연구를 진행 중”이라고 밝혔다.

김효섭기자 newworld@seoul.co.kr