檢, ‘CXMT 이직’ 3명 구속 기소

1.6조 들인 18나노 D램 기술 빼내
제품 분해·검증 거친 뒤 개발 도와
4~6년간 연봉 15억~30억원 약속
“피해 규모 수십조로 불어날 수도”

중국 반도체 기업으로 이직한 뒤 불법 유출된 국가 핵심기술을 부정 사용해 중국 반도체 회사가 18나노 D램 반도체를 개발할 수 있도록 도운 전직 삼성전자 임직원 3명이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다. 유출된 기술은 삼성전자가 1조 6000억원을 투자한 D램 최신 공정 기술이다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 1일 삼성전자 상무로 재직했던 양모씨와 연구원이었던 신모씨, 권모씨 등 3명을 구속기소했다고 밝혔다. 이들은 중국 창신메모리반도체테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 부정 사용해 중국에서 D램을 개발하도록 도운 혐의(산업기술보호법 위반·부정경쟁방지법 위반)를 받는다. CXMT는 중국 지방정부가 2조 6000억원을 들여 설립한 중국 1호 D램 반도체회사다.

그 결과 CXMT는 중국에서 처음이자, 세계에서 네번째로 18나노 D램을 개발했다. 검찰은 이들의 범행으로 CXMT가 중국의 약점으로 지목됐던 ‘메모리 반도체 기술 장벽’을 뛰어넘을 수 있었다고 보고 있다. 반도체 업계에 따르면 CXMT는 이전까지는 구형 D램만 생산해 시장 점유율이 낮은 상태였는데, 18나노 D램 양산을 계기로 중국 현지 시장에서 최대 점유율을 차지하게 됐다. CXMT는 올 1분기 SK하이닉스, 삼성전자, 마아크론(미국)의 뒤를 이어 글로벌 D램 시장 점유율 4위에 이름을 올렸다.

양씨 등은 CXMT로부터 각각 4~6년간 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15~30억원의 높은 급여를 받았다.

앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접수사를 통해 CXMT의 ‘1기 개발팀’에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 각각 구속기소 한 바 있다. 이후 검찰은 추가 수사를 진행해 이후 CXMT ‘2기 개발팀’의 실장인 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨가 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 삼성전자의 실제 제품을 분해해 검증하고 제조 테스트를 진행하는 방식으로 D램 개발을 도운 사실을 밝혀냈다. 검찰은 “이 사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정되며 향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 예상된다”고 밝혔다.