하이닉스 반도체는 9일 관통 전극(TSV) 기술을 활용해 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 8단 적층해 16기가비트 D램을 만드는 데 성공했다고 밝혔다. 단일 패키지에서 고용량 16기가비트를 구현한 것은 처음이다.

이 제품을 모듈로 제작하면 최대 64기가바이트(GB)의 고용량을 시현할 수 있어 서버 및 워크 스테이션 등 대용량 메모리 수요에 적합하다고 회사 측은 설명했다.

또 기존 방식에서는 고용량화를 위해 칩을 적층할수록 신호전달을 위한 와이어가 복잡하고 패키지가 커지는 단점이 있었지만, 이번에는 칩을 수직으로 쌓아 관통전극을 형성해 기존 와이어 본딩보다 2배 이상 적층이 가능해졌다.

하이닉스 반도체 연구소장 홍성주 전무는 “TSV 기술을 이용한 고용량 메모리 제조 기술은 앞으로 2~3년 내에 메모리 산업의 핵심기술이 될 것”이라고 말했다.

하이닉스는 2013년 이후 본격 상용화될 것으로 예상되는 64기가바이트 모듈 양산을 준비하는 한편 기존 모바일 D램보다 8배 빠른 와이드 I/O TSV 개발도 추진할 방침이다.

류지영기자 superryu@seoul.co.kr